一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构

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摘要

本实用新型涉及晶片技术领域，且公开了一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构，包括R型、T型和光刻胶，R型与T型的边缘均与光刻胶的内边粘接。本实用新型解决了晶片在加工过程中会受到片盒或机械等工具的撞击，边缘应力集中容易破裂，晶片在后续元器件的制造过程中会有迅速加热或冷却的过程，这个过程中有非常许多热周期，在某些区域就会产生热应力，一旦热应力超过晶体的弹性强度，就会产生位错，而晶片的边缘正是热应力易于集中的区域，在晶片光阻液涂布过程中，表面张力会使光阻液在晶片边缘产生堆积现象；外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高，使用未经倒角的晶片容易在边缘区域产生突起的问题。

基本信息

专利标题：

一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922072533.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-27

授权号：

CN211238261U

授权日：

2020-08-11

发明人：

侯想谢礼增钟梦洁刘杨

申请人：

福建中晶科技有限公司

申请人地址：

福建省龙岩市永定区高陂镇永定工业园区

代理机构：

天津铂茂专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

张天翔

优先权：

CN201922072533.1

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06