一种边缘电场改善结构、载板单体及载板
授权
摘要
本实用新型公开了一种边缘电场改善结构、载板单体及载板，属于硅晶片表面真空镀膜技术领域。边缘电场改善结构包括在承载硅晶片的载置框的内侧壁上设置有若干凸起部。载板单体包括边缘电场改善结构以及设置于载置框下侧的载置台。载板包括若干个载板单体，载板单体在载板上呈阵列式分布。本实用新型有效的改善了镀膜过程中载板单体边缘电场的均匀性，提高了硅晶片镀膜厚度的均匀性。改善了由于镀膜厚度不同而产生的外观色差。本实用新型仅在原有的载置框的载板单体内侧壁上设置凸起部，整体改进结构简单，改进成本低。有利于大规模生产和应用。
基本信息
专利标题 ：
一种边缘电场改善结构、载板单体及载板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021425902.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN212713739U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
肖俊峰王锦乐张玉前庞三凤萧圣义
申请人 ：
通威太阳能（合肥）有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区长宁大道888号
代理机构 ：
安徽知问律师事务所
代理人 ：
代群群
优先权 ：
CN202021425902.7
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C16/458 H01L21/687
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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