用于静电放电保护的改善多晶硅－源区边界电场的结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种用于静电放电保护的改善多晶硅－源区边界电场的结构，包括多个多指并联的GGNMOS，在源区的多晶硅部分的中间段宽度一致，而两端宽度较大；多晶硅在场区的宽度比在源区的宽度大，且多晶硅宽度从源区到场区逐渐变大，这种结构可以改善GGNMOS结构中场区和源区交界处的电场分布，减少交界处的电流密度，提高GGNMOS保护结构在静电放电时的保护能力。
基本信息
专利标题 ：
用于静电放电保护的改善多晶硅－源区边界电场的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979853A
申请号 ：
CN200510111044.2
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐向明
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111044.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-03-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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