改善硅外延片背面边缘长硅的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的衬底放入基座的片坑内，且衬底向远离基座的方向弯曲；外延生长之后，将外延片取出，再次向外延反应腔室通入大流量的气态HCL。本发明由于采用了具有特定弯曲度的衬底，及外延生长前后均采用大流量的气体刻蚀清洗，因此可以明显改善硅外延片背面边缘长硅问题，减小硅外延片边缘局部平整度，避免后道光刻聚焦不良问题，满足后道工序光刻要求，从而能够提高光刻图形的位置准确性，提高产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
改善硅外延片背面边缘长硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318295A
申请号 ：
CN202210260870.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
米姣薛宏伟袁肇耿刘永超侯志义任丽翠
申请人 ：
河北普兴电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张一
优先权 ：
CN202210260870.7
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/56 C23C16/24 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20220317
申请日 : 20220317
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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