一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,涉及硅片刻蚀领域,包括加装平板、安装感应器、调节涂液组件、感应器报警和硅片刻蚀,且具体实施步骤如下:步骤一:加装平板,在滚轮带液刻蚀设备的滚轮下加装一个平板,同时使滚轮的外表面和背部均与限位组件相接触。本发明通过设置有涂液组件,当将硅片放置于滚轮上后,使用者通过移动涂液海绵,涂液海绵移动会带动滑块在滑槽内部滑动,当涂液海绵与硅片的两侧相接触后,使用者将固定螺栓旋入至螺栓孔内部,以对滑块进行固定,防止滑块随意带动涂液海绵移动,而涂液海绵吸附溶液后,由于硅片移动时涂液海绵会将溶液涂至硅片的两侧,防止硅片两侧未被溶液刻蚀便被取走。

基本信息
专利标题 :
一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481331A
申请号 :
CN202210076630.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈天令曹其伟谢耀辉曾玉婷杨加俊张鹏
申请人 :
江西中弘晶能科技有限公司
申请人地址 :
江西省抚州市宜黄县六里铺工业园区谭坊小区
代理机构 :
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄晓滨
优先权 :
CN202210076630.1
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220124
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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