一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS
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摘要
本实用新型一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P‑epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P‑sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。与现有双向TVS比，高浓度的多晶具有很小的电阻，可使结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。
基本信息
专利标题 ：
一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020417081.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN211578761U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
赵德益蒋骞苑吕海凤赵志方张啸
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020417081.6
主分类号 ：
H01L29/732
IPC分类号 ：
H01L29/732 H01L27/082 H01L21/331
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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