用于深槽的掺杂硅填充的工艺步骤

专利权的终止

摘要

本发明提供一种用于由原位掺杂非晶硅的深槽结构无空隙填充的方法，在该方法中第一填充在温度、压力和掺杂剂与硅烷比率使得膜沉积槽自下向上发生下实施。经由第一填充，实现阱中的阶梯覆盖超过100％。在第二填充步骤中，沉积在变化的条件下实施以减少掺杂剂对沉积速度的影响，从而以超过第一填充沉积速度的沉积速度完成槽填充。在形成深槽电容器结构的方法的应用中，中间步骤进一步包括以非晶硅层盖在无空隙填充的槽上，之后平坦化晶圆，随后热退火以再分配掺杂剂。

基本信息

专利标题：

用于深槽的掺杂硅填充的工艺步骤

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101084574A

申请号：

CN200580042974.5

公开（公告）日：

2007-12-05

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿吉特·帕仁吉佩萨默纳斯·内奇

申请人：

应用材料股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN200580042974.5

主分类号：

H01L21/4763

IPC分类号：

H01L21/4763

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

H01L21/46

用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/461

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/4763

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理

法律状态

2018-02-02 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/4763
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20161213

2012-01-18 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101269913891
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利号 : ZL2005800429745
变更事项 : 专利权人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州

2009-11-18 ：

授权

2008-01-23 ：

实质审查的生效

2007-12-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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