一种硅单晶锑掺杂剂制备装置
授权
摘要
本实用新型公开一种硅单晶锑掺杂剂制备装置,包括顶部开口的烧瓶、端盖、支架和燃烧组件,端盖固定在烧瓶顶部密封烧瓶,端盖侧面与支架顶端固定,端盖顶面中心固定有支撑管,且端盖顶面设有与支撑管匹配的开口,支撑管顶端连接有排风机构;端盖上开设有进气口,进气口连通有进气管道;烧瓶内部设有固定筒和籽晶,固定筒包括上部的插入段以及下部的固定段,插入段插入支撑管内部,籽晶插入固定段底部内固定,固定段周面均布开设有出气口;烧瓶内贮存有锑晶体,锑晶体支撑籽晶;燃烧组件设置在烧瓶下方加热烧瓶。本实用新型无专用的排气软管避免高温损坏,籽晶固定稳定,随着锑融化自动调节籽晶下沉位置,保证凝固效果,省时省力。
基本信息
专利标题 :
一种硅单晶锑掺杂剂制备装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921321603.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-14
授权号 :
CN210481572U
授权日 :
2020-05-08
发明人 :
王鹏张俊
申请人 :
扬州合晶科技有限公司
申请人地址 :
江苏省扬州市经济技术开发区马泊河路6号
代理机构 :
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 :
潘云峰
优先权 :
CN201921321603.6
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2020-05-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210481572U.PDF
PDF下载