本申请公开了一种碳化硅单晶的制备装置及其应用，属于单晶的制备领域。该碳化硅单晶的制备装置，其包括加热单元、保温结构和坩埚，所述坩埚包括上部坩埚和下部坩埚，所述上部坩埚的坩埚盖内侧面设置籽晶；所述加热单元包括电阻加热体组和感应加热线圈；和所述电阻加热体组直接加热所述上部坩埚，所述感应加热线圈感应加热所述下部坩埚。该制备装置加热单元和保温结构的设置方式，方便控制坩埚不同高度即不同的长晶区域的温度，从而严格调控坩埚内热场的轴向温度梯度和径向温度梯度，从而提高长晶质量。