一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为99.99%的氦气或氢-氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶。其氧含量可低于10ppam，碳含量可低于1ppma，掺入氮含量小于4.5×1015/cm2。该方法制备的硅单晶，成本大幅度降低，其硅片在器件工艺中不易翘曲和破碎，成品率高，优品率增加。适合于制备2″～6″或更大直径直径的硅单晶，是制造大规模集成电路和超大规模集成电路的理想材料。
基本信息
专利标题 ：
一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100307A
申请号 ：
CN88100307.7
公开（公告）日 ：
1988-07-27
申请日 ：
1988-01-20
授权号 ：
CN1003797B
授权日 ：
1989-04-05
发明人 ：
李立本阙端麟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88100307.7
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2005-03-23 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1989-11-15 ：
授权
1989-04-05 ：
审定
1988-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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