一种硅环刻蚀装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种硅环刻蚀装置，包括刻蚀机构，刻蚀机构包括传动机构、支撑侧板、支撑轴和第一驱动电机和用于放置硅环的放置架，支撑侧板一端与支撑轴固定，第一驱动电机设置在支撑轴上，传动机构设置在支撑侧板上，放置架与支撑侧板转动连接，第一驱动电机通过传动机构带动放置架转动。本实用新型提供了一种硅环刻蚀装置，清洗过程转动架带动产品转动，使产品表面蚀刻更加均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种硅环刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921994543.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN211045378U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
范明明祝建敏陈荣贵李长苏
申请人 ：
杭州大和热磁电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
尉伟敏
优先权 ：
CN201921994543.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20201218
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州大和热磁电子有限公司
变更后权利人 : 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
变更后权利人 : 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
登记生效日 : 20201218
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州大和热磁电子有限公司
变更后权利人 : 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号
变更后权利人 : 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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