一种半导体硅环刻蚀洗净装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种半导体硅环刻蚀洗净装置,包括槽体,所述槽体的顶端扣合有顶盖,所述顶盖的底面固定装配有连接杆,所述连接杆的外壁套接有套环,所述套环的外壁固定装配有挂钩,所述槽体的内壁底端固定装配有托盘。通过托盘和通气槽的配合,将导管与气泵连接到一起,使用气泵通过导管和单向阀向通气槽的内部通气,气体通过导管和喷嘴喷出,能够增加槽体内部蚀刻液的流通,增加清洗的效果,通过卡块和球体的配合,通过导管和喷嘴的配合,根据半导体硅环的直径大小,转动导管,导管转动的过程中,带动球体在两个卡块之间转动,此时凸块卡接到凹槽的内部,调整喷嘴的位置,将喷嘴的转动至靠近半导体硅环,灵活性能强,适用范围广泛。

基本信息
专利标题 :
一种半导体硅环刻蚀洗净装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022148935.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN213476106U
授权日 :
2021-06-18
发明人 :
刘瑞强张国峰
申请人 :
辽宁中电科半导体材料有限公司
申请人地址 :
辽宁省锦州市太和区解放西路94号
代理机构 :
沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨群
优先权 :
CN202022148935.8
主分类号 :
C23F1/08
IPC分类号 :
C23F1/08  C30B33/10  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料;金属材料的缓蚀;一般防积垢;至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/08
装置,如照相印刷制版装置
法律状态
2022-03-18 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C23F 1/08
变更事项 : 专利权人
变更前 : 辽宁中电科半导体材料有限公司
变更后 : 辽宁博芯科半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 121000 辽宁省锦州市太和区解放西路94号
变更后 : 121000 辽宁省锦州市太和区解放西路94号
2021-06-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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