带损伤应力环的半导体硅切片
专利权的终止
摘要
本实用新型属于半导体硅晶片，尤其涉及一种可以消除半导体硅晶片表面应力的带损伤应力环的半导体硅切片，其特征是：在所述硅切片表面设有损伤应力环。本实用新型的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位错排和造成集成电路p－n结导通或导致漏电流增大。其方法简便，易操作，不需要改变现有设备。
基本信息
专利标题 ：
带损伤应力环的半导体硅切片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620026304.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-06
授权号 ：
CN2932620Y
授权日 ：
2007-08-08
发明人 ：
刘玉岭周建伟张伟
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
300130天津市红桥区光荣道8号
代理机构 ：
天津市三利专利商标代理有限公司
代理人 ：
闫俊芬
优先权 ：
CN200620026304.6
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/304 H01L21/301
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2010-09-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005906636
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2006200263046
申请日 : 20060606
授权公告日 : 20070808
号牌文件序号 : 101005906636
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2006200263046
申请日 : 20060606
授权公告日 : 20070808
2007-08-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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