修复半导体器件中损伤层的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
受损伤的多孔OSG层和其它的损伤可以被化学修复。在亚90nmILD内的多孔OSG中，化学修复是特别有利的。例如，可以借助于使损伤与粘合促进剂发生反应来进行化学修复，此粘合促进剂的“k”值与损伤材料中所希望的“k”值可比拟。可以对损伤的多孔OSG层(亲水性的)进行控制，以便防止它们允许潮气到达铜线。在具有多孔OSG几何形状的ILD中，不希望有的铜外扩散能够得到控制。
基本信息
专利标题 ：
修复半导体器件中损伤层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801463A
申请号 ：
CN200510125167.1
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈行聪考什克·阿郎·库马尔凯利·马罗尼
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200510125167.1
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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