用于修复半导体存储器件的装置和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种用于修复具有开放式位线读出放大器架构的半导体存储器件的装置和方法，单元阵列块具有由边子块、主子块、伪子块形成的存储器块。当通过使能三条字线而输出DQ数据时，可以使用直边块来处理行缺陷，使得在边子块或者伪子块中的存储器件的修复处理具有与缺陷发生在主子块的情况相同的修复有效性。
基本信息
专利标题 ：
用于修复半导体存储器件的装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815632A
申请号 ：
CN200510131540.4
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑昌永黄泓善
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邸万奎
优先权 ：
CN200510131540.4
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00 G11C7/00 H01L21/8239 H01L27/10
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2012-11-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101459584054
IPC(主分类) : G11C 29/00
专利申请号 : 2005101315404
申请公布日 : 20060809
号牌文件序号 : 101459584054
IPC(主分类) : G11C 29/00
专利申请号 : 2005101315404
申请公布日 : 20060809
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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