用于半导体的拉伸及压缩应力材料
专利权的终止
摘要
在一态样中，是在一基材上形成一应力材料。该基材置放在一处理区中，且一等离子体会由该处理区中所提供的处理气体形成，该处理气体具有含硅气体与含氮气体。亦可再加入稀释气体，例如，氮。该气体沉积材料会曝露在紫外线或电子束下，以增加沉积的氮化硅材料的应力。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体的拉伸及压缩应力材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088150A
申请号 ：
CN200580038908.0
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
米哈拉·巴尔塞努郑起范黄丽华李夏立群王荣平蒂瑞克·R·威蒂莱维斯·斯蒂恩马丁·J·西蒙斯希琴·姆塞德迈克尔·C·克蔓
申请人 ：
应用材料股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陆嘉
优先权 ：
CN200580038908.0
主分类号 ：
H01L21/318
IPC分类号 ：
H01L21/318 C23C16/34 H01L21/3105 C23C16/56
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/318
由氮化物组成的无机层
法律状态
2015-12-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101639682245
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2005800389080
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20141110
号牌文件序号 : 101639682245
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2005800389080
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20141110
2013-02-13 ：
授权
2012-01-11 ：
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101262118328
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利申请号 : 2005800389080
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
号牌文件序号 : 101262118328
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利申请号 : 2005800389080
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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