本发明实施例提供了一种深硅刻蚀方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：获取目标工艺参数的初始参数值和终末参数值，以及其它工艺参数的实时参数值，确定与刻蚀区域的刻蚀次数对应的目标工艺参数的实时参数值，采用沉积工艺参数的实时参数值进行沉积钝化，采用刻蚀工艺参数的实时参数值进行刻蚀，重复确定目标工艺参数的实时参数值的步骤，以及对刻蚀区域进行沉积钝化和刻蚀的步骤，直至刻蚀次数达到刻蚀总次数。工艺参数的参数值随刻蚀次数的增大按S型曲线变化，使刻蚀初期和刻蚀后期与刻蚀中期具有不同的横向刻蚀强度，从而可以减小深硅结构的中部和下部之间的尺寸差异。