一种聚焦环及刻蚀设备
授权
摘要
本申请实施例提供的聚焦环，用于半导体器件的刻蚀，聚焦环包括上部聚焦环以及下部聚焦环。本申请实施例提供的聚焦环通过在下部聚焦环上形成凹槽，凹槽能够反射半导体器件刻蚀过程中的反应生成物，被反射的反应生成物一部分被真空泵抽走，从而具有减少反应生成物沉积在半导体器件背面以及聚焦环间的优点。本申请同时还提供一种刻蚀设备，由于具有本申请实施例提供的聚焦环，所以也具有减少反应生成物沉积在半导体器件背面与聚焦环之间的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种聚焦环及刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113436955A
申请号 ：
CN202110706492.6
公开（公告）日 ：
2021-09-24
申请日 ：
2021-06-24
授权号 ：
CN113436955B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
张洪春
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李路遥
优先权 ：
CN202110706492.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20210624
申请日 : 20210624
2021-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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