一种接地环及等离子体刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种接地环及等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置通孔，连通接地环和基座空隙与真空反应腔的底部空腔，当通过底部空腔抽气时，可以避免空隙中的颗粒污染物向上运动污染基片，而是从通孔直接横向进入空腔进而排出，同时在基座边沿处的气体遮挡环可以进一步阻止在空隙中的颗粒污染物向上运动，提高基片刻蚀的良率，此外，接地环上的通孔面积还保证了真空反应腔内部RF回路的稳定导通，保证内部射频电场的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种接地环及等离子体刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022363574.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN212848301U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
王智昊傅时梁王伟娜黄允文倪图强
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯琼
优先权 ：
CN202022363574.9
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
