一种半导体设备用聚焦环的制备方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体设备用聚焦环的制备方法及装置,制备方法包括步骤一:预备沉积装置,将沉积装置置于化学气相沉积炉内;步骤二:对化学气相沉积炉进行加热,将气相沉积炉内加热至950‑1300℃,向气相沉积炉内通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气(H2)的混合气体;步骤三:将沉积好的固体碳化硅聚焦环与沉积装置进行分离;步骤四:抛光,将聚焦环表面进行打磨抛光制得纯度较高、气孔率低且颗粒大小均匀的聚焦环,保证了聚焦环具有较高的质量,延长了聚焦环的使用期限,有效避免刻蚀设备频繁更换聚焦环的问题,提升了生产效率。
基本信息
专利标题 :
一种半导体设备用聚焦环的制备方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318290A
申请号 :
CN202210002396.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张东生李江涛魏庆渤王征
申请人 :
巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
申请人地址 :
河南省郑州市巩义市站街镇胡坡村
代理机构 :
郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孔祥平
优先权 :
CN202210002396.8
主分类号 :
C23C16/32
IPC分类号 :
C23C16/32 C23C16/44 C23C16/56
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/32
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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