半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和强度都得到提高，从而可以提高致冷器件的成品率和致冷效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045427A
申请号 ：
CN89100990.6
公开（公告）日 ：
1990-09-19
申请日 ：
1989-03-09
授权号 ：
CN1017730B
授权日 ：
1992-08-05
发明人 ：
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
申请人 ：
哈尔滨师范大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市和兴路24号
代理机构 ：
哈尔滨工业大学专利事务所
代理人 ：
黄锦阳
优先权 ：
CN89100990.6
主分类号 ：
C30B13/30
IPC分类号 ：
C30B13/30 C30B29/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
C30B13/28
控制或调节
C30B13/30
熔融区的稳定化或形状控制，例如用浓缩器的、用电磁场的；控制晶体截面的
法律状态
1996-04-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-04-21 ：
授权
1992-08-05 ：
审定
1990-09-19 ：
公开
1990-04-04 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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