单一取向有机半导体晶体图案化阵列的印刷制备方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及有机半导体晶体印刷领域，公开了一种单一取向有机半导体晶体图案化阵列的印刷制备方法和应用。本发明的有机半导体晶体阵列制备包括预处理基底材料和在所述预处理基底材料上打印有机半导体功能材料。本发明的单一取向有机半导体晶体图案化阵列是利用异质浸润性基材的图案化设计以及有机功能材料粘附力特性调控，诱导微米级弯液面固液气三相线（TCL）微区形变，精准调控对有机分子的成核与生长等结晶行为，最终实现在任意基材上的可控取向有机半导体晶体图案化阵列的制备。本发明提供的单一取向有机半导体晶体图案化器件的性能是多取向晶体器件性能的3倍，有望应用于有机高性能集成器件中。
基本信息
专利标题 ：
单一取向有机半导体晶体图案化阵列的印刷制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464762A
申请号 ：
CN202210132844.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔雅丽陈胜楠宋延林
申请人 ：
中国科学院化学研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210132844.6
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/48 H01L51/40 H01L51/54 H01L51/46 H01L51/30 B41J3/407 B41J3/413 B41M5/00 G03F7/16 G03F7/42
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
