基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法

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摘要

本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。

基本信息

专利标题：

基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111682109A

申请号：

CN202010501247.7

公开（公告）日：

2020-09-18

申请日：

2020-06-04

授权号：

CN111682109B

授权日：

2022-04-22

发明人：

揭建胜张晓宏邓巍肖彦玲

申请人：

苏州大学

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区仁爱路199号苏州大学独墅湖校区909楼3303

代理机构：

北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

周礼涛

优先权：

CN202010501247.7

主分类号：

H01L51/00

IPC分类号：

H01L51/00 B81C1/00