本发明涉及一种图案化方法和半导体结构的制备方法。该图案化方法包括：提供基底；于基底表面形成第一图形化掩膜层，第一图形化掩膜层包括多个沿第一方向延伸的第一掩膜结构，第一掩膜结构间隔排布；于第一图形化掩膜层上形成第一介质层，第一介质层填满第一掩膜结构之间的间隔区域且覆盖第一图形化掩膜层的上表面，刻蚀第一介质层，形成多个沿第二方向延伸的第二掩膜结构，第二掩膜结构间隔排布；第二方向与第一方向相交；选择性刻蚀第一掩膜结构和第二掩膜结构，以于基底表面形成网状掩膜层。上述图案化方法，可以对掩膜图案中的网孔密度实现加倍，降低工艺过程中的精度要求，步骤更加简化，工艺成本更低。