半导体结构及虚拟图案布局的设计方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体结构及虚拟图案布局的设计方法，该半导体结构包括基底、多个虚拟导电结构与多个电阻元件。基底包括电阻区，且具有位于电阻区中的多个隔离结构与多个虚拟支撑图案。每个隔离结构位于相邻两个虚拟支撑图案之间。每个虚拟导电结构设置于每个隔离结构上且与两侧的虚拟支撑图案等距。电阻元件设置于虚拟导电结构上方且对准虚拟导电结构。该半导体结构可防止低图案密度区中的虚拟导电结构与密集区中的导电结构产生桥接。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及虚拟图案布局的设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109411465A
申请号 ：
CN201710706341.4
公开（公告）日 ：
2019-03-01
申请日 ：
2017-08-17
授权号 ：
CN109411465B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
卢瑞发林建男叶璟桦
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710706341.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20170817
申请日 : 20170817
2019-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
