半导体元件的金属层直接图案化制作方法

专利权的终止

摘要

一种于半导体元件中的金属层直接图案化的制作方法，是用于解决以全面基板沉积薄膜、黄光光刻(Photolithography)技术制作晶体管结构时造成的材料耗费与时程，其主要步骤包括催化反应层(种晶层)材料的图案化定义、以及选择性薄膜沉积(成长)，其中更使用直接图案化种晶技术与化学镀浴沉积技术，提供一非真空、选择性沉积的薄膜成长制程，可应用半导体元件中的导线、电极，或于大面积晶体管数组或大面积功能性(如反射层)薄膜的沉积、制造。

基本信息

专利标题：

半导体元件的金属层直接图案化制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101000873A

申请号：

CN200610001276.7

公开（公告）日：

2007-07-18

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

萧名男姜信铨庄博全

申请人：

台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹县

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李强

优先权：

CN200610001276.7

主分类号：

H01L21/3205

IPC分类号：

H01L21/3205

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

法律状态

2019-12-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3205
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20090624
终止日期 : 20190112

2009-06-24 ：

授权

2007-09-12 ：

实质审查的生效

2007-07-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN100505179C.PDF

PDF下载

2、

CN101000873A.PDF

PDF下载