一种图案化电极的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请属于电极器件技术领域，尤其涉及一种图案化电极的制备方法，本申请的制备方法，包括：在衬底上制备图案，得到第一衬底；图案的线条宽度为1～500μm；将熔融态的目标衬底材料覆盖在第一衬底的图案面上，待目标衬底材料凝固后得到第二衬底；将第二衬底置于低温环境中冷冻处理，待目标衬底材料玻璃化后，将目标衬底材料从第一衬底上剥离，得到图案化电极。本申请提供了一种图案化电极的制备方法，能有效解决现有转移碳纳米管、纳米银线等材料制备图案化电极中存在的图案精度下降，转移不完整，甚至引入残胶等杂质的技术问题，并且对原衬底和目标衬底材料的选择具有普适性，尤其适用于薄膜晶体管和OLED显示设备等微电子制造领域。
基本信息
专利标题 ：
一种图案化电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334643A
申请号 ：
CN202111603202.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏儒张高帆邱志光吴梓毅古逸凡秦宗
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市新港西路135号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李泽艳
优先权 ：
CN202111603202.1
主分类号 ：
H01L21/3213
IPC分类号 ：
H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3213
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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