图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420840A
申请号 ：
CN202111484162.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任天令囤冠华覃肯张海南耿祥顺谢丹梁仁荣
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵静
优先权 ：
CN202111484162.3
主分类号 ：
H01L51/00
IPC分类号 ：
H01L51/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/00
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
