一种稳定的钙钛矿薄膜制备方法
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摘要

本发明属于钙钛矿薄膜制备领域,尤其是涉及一种稳定的钙钛矿薄膜制备方法,主要包括以下步骤:制取前驱体溶液、旋涂、加热,上述钙钛矿薄膜制备过程中用到的旋涂设备包括旋涂箱,所述旋涂箱中转动连接有支撑轴,且支撑轴的上端固定连接有支撑座,所述支撑座上连接有衬底,所述衬底的下端开设有多个插槽,且支撑座上固定连接有与插槽相配合的空心插块。本发明可通过设置的往复导电机构,可以使得电磁板间隙通电,配合复位弹簧,可以使得永磁板间隙运动,同时在自启闭机构的作用下,可以使得,滴管间歇向衬底上滴加前驱体溶液,避免了人工间歇滴加的繁琐和劳力损耗。

基本信息
专利标题 :
一种稳定的钙钛矿薄膜制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113417005A
申请号 :
CN202110670549.1
公开(公告)日 :
2021-09-21
申请日 :
2021-06-17
授权号 :
CN113417005B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
韦志成楚树勇张正国
申请人 :
北方民族大学
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区文昌北街204号
代理机构 :
北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
卢萍
优先权 :
CN202110670549.1
主分类号 :
C30B19/00
IPC分类号 :
C30B19/00  C30B29/54  H01L51/48  H01L51/42  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B19/00
液相外延层生长
法律状态
2022-04-08 :
授权
2021-11-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 19/00
申请日 : 20210617
2021-09-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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