印刷电路图案化的嵌入电容层
专利权的终止
摘要
公开了一种制造图案化的嵌入电容层的方法。该方法包括制造(1305、1310)陶瓷氧化物层(510)，其覆在导电金属层(515)上面，该导电金属层(515)覆在印刷电路基板(505)上面；在区域(705)内穿孔(1320)陶瓷氧化物层；并通过化学蚀刻导电金属层而移除(1325)该区域中的陶瓷氧化物层和导电金属层。陶瓷氧化物层的厚度可小于1微米。
基本信息
专利标题 ：
印刷电路图案化的嵌入电容层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147240A
申请号 ：
CN200680009279.3
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
格雷戈里·J·邓恩罗伯特·T·克罗斯韦尔雅罗斯瓦夫·A·毛盖劳约维察·萨维奇阿龙·V·通加雷
申请人 ：
摩托罗拉公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200680009279.3
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101431317530
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006800092793
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20120217
号牌文件序号 : 101431317530
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006800092793
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20120217
2011-08-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101120106208
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006800092793
变更事项 : 专利权人
变更前 : 摩托罗拉公司
变更后 : 摩托罗拉解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
号牌文件序号 : 101120106208
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006800092793
变更事项 : 专利权人
变更前 : 摩托罗拉公司
变更后 : 摩托罗拉解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
2009-07-22 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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