嵌入式电容结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种嵌入式电容结构，该电容结构包括具有一定深度的沟渠的衬底，在沟渠底部上依次设有沿沟渠的深度方向多层间隔的电极结构，电极结构包括电极层以及电极层周围的粘合层和第一介质层，第一介质层和粘合层依次包裹在电极层的侧壁，电极结构通过粘合层附着在沟渠的侧壁上，粘合层还包覆在电极层和第一介质层的底面，相邻间隔的两个所述电极结构之间设有第二介质层，相邻间隔的两个所述电极结构及其中间的第二介质层构成一组电容结构。采用DRIE与深度终点探测工艺形成具有垂直侧壁的沟渠，电容结构的厚度、面积和形状可以根据需求进行调整，并实现电容值的可变控制，最终达到优化效能的目标。
基本信息
专利标题 ：
嵌入式电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122599006.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216435932U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
朱庆芳
申请人 ：
泉州市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN202122599006.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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