电容结构
专利权的视为放弃
摘要
本发明公开了一种电容结构，其包括下电极、上电极及电容介电层。其中，下电极配置于基底上，为第一电源线。上电极沿着下电极的走向配置于下电极上，并电连接至第二电源线。电容介电层配置于下电极与上电极之间。
基本信息
专利标题 ：
电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979855A
申请号 ：
CN200510129744.4
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈文吉陈东波
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129744.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2010-01-27 ：
专利权的视为放弃
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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