电容结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种电容结构，包括第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极、第二电极与第一绝缘层，其中第二电极配置于第一电极下方，且第一绝缘层配置于第一电极与第二电极之间。第二电容器配置于第一电容器下方，且与第一电容器并联。第二电容器包括构成第三、第四电极的多个图案化金属层与多个介层窗插塞，以及第二绝缘层。各图案化金属层堆叠配置于第二绝缘层中，且介层窗插塞连接这些图案化金属层，其中每一图案化金属层包括第三电极的一部分与第四电极的一部分。
基本信息
专利标题 ：
电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979849A
申请号 ：
CN200510126985.3
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许村来严国辉陈威良
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126985.3
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L23/522
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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