减少电容变化的MOS电容结构
授权
摘要
本申请涉及减少电容变化的MOS电容结构。一种电容结构，可以形成在先进MOS器件的器件层中，以显着降低电容/电压的可变性。为此，可以在该电容结构的“沟道”中形成一高掺杂半导体区域。例如，对于该高掺杂半导体区域中掺杂剂的指定浓度以及垂直尺寸的指定范围，可以获得电压范围在例如±5V内的大约3％或更小的一减小的可变性。
基本信息
专利标题 ：
减少电容变化的MOS电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108010903A
申请号 ：
CN201711032533.8
公开（公告）日 ：
2018-05-08
申请日 ：
2017-10-30
授权号 ：
CN108010903B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
A·西杰利尼科夫阿尔班·阿卡艾尔·梅迪·巴利利V·N·R·K·内卢里朱尔根·法尔
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
英属开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN201711032533.8
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L29/94
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-03-19 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 23/64
登记生效日 : 20210305
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20210305
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2018-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20171030
申请日 : 20171030
2018-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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