电流补偿式微电容变化量测试装置
专利权的终止专利权有效期届满
摘要

本装置属半导体测量技术(C-V技术),具体地说,就是涉及MOS器件中微量可动离子,PN结(或MS结)中微量深能级杂质以及高性能二极管配对筛选的测量技术。本装置采用电流补偿原理,将传统C-V测量的单端输入运放工作模式改变为两端输入差动电流补偿工作模式,从而使干扰测量的背景电容被自动补偿掉,突出了相关电容的微量变化,使测量的分辨率显著提高(1-2个量级)。另外,由于构思的原因,使本装置的技术与现有设备是兼容的,既可以外加相应的电流补偿措施,也可在原有设备上略加改动,就可以改型,对于厂家、用户都颇为灵活、方便、实惠。

基本信息
专利标题 :
电流补偿式微电容变化量测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN88200726.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1988-01-30
授权号 :
CN2056515U
授权日 :
1990-04-25
发明人 :
谭长华许铭真金杰王阳元
申请人 :
北京大学
申请人地址 :
北京市海淀区中关村北京大学
代理机构 :
北京大学专利事务所
代理人 :
郑胜利
优先权 :
CN88200726.2
主分类号 :
G01R27/26
IPC分类号 :
G01R27/26  H01L21/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量;品质因数的测量,例如通过应用谐振法;损失因数的测量;介电常数的测量
法律状态
1996-08-14 :
专利权的终止专利权有效期届满
1993-04-28 :
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1990-11-28 :
授权
1990-04-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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