电容结构
授权
摘要
一种电容结构，包括多层堆叠的导电图案，且各导电图案包括一封闭导电环、多个相互平行并与封闭导电环电性连接的主要导电条，以及多个与主要导电条交错设置且未与封闭导电环电性连接的次要导电条。位于奇数层的导电图案的主要导电条与次要导电条是分别对应于位于偶数层的导电图案的次要导电条与主要导电条。
基本信息
专利标题 ：
电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043034A
申请号 ：
CN200610071463.2
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许村来莫亚楠廖以义
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610071463.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/02 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-01-21 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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