具有增加电容的嵌入式DRAM及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种嵌入式DRAM存储器件包括一个或更多柱形单元电容器。将接触柱(25)设置在衬底(10)上的PMD层(27)中，并且通过在接触柱(25)上沉积终点停止层(40)、然后在PMD层(27)上设置的氧化物层(60)中形成第二接触沟槽(62)来形成电容器的下电极(或存储模式电极)。第二接触沟槽(62)与相应的接触柱(25)对齐，并且例如填充有加上钨的阻挡材料。在接触沟槽(62)的位置处将氧化物层(60)选择性地刻蚀至终点停止层(40)。沿第一接触柱(25)的长度刻蚀终点停止层并且随后刻蚀PMD层(27)，以便形成沟槽(62)。最后，将第二接触沟槽(62)中的钨选择性地刻蚀穿过阻挡层，以便在第二沟槽(62)的内壁和底部上留下例如TiN的阻挡层(64)。
基本信息
专利标题 ：
具有增加电容的嵌入式DRAM及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142671A
申请号 ：
CN200680005108.3
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韦罗妮克·德容厄奥德丽·贝尔特洛特
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680005108.3
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2015-04-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604304499
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006800051083
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20091007
终止日期 : 20140215
号牌文件序号 : 101604304499
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006800051083
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20091007
终止日期 : 20140215
2009-10-07 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
