具有氧化锆的电容器及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供了具有氧化锆的电容器及其制造方法。该方法包括：形成存储节点；在存储节点上形成多层介电结构，多层介电结构包括氧化锆(ZrO2)层和氧化铝(Al2O3)层；和在多层介电结构上形成板状电极。
基本信息
专利标题 ：
具有氧化锆的电容器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790674A
申请号 ：
CN200510115640.8
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李起正
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200510115640.8
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01G4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2017-12-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20161108
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20161108
2010-05-12 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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