空心柱型电容器及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种空心柱型电容器，至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞，有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别围绕于各个空心柱型下电极的外围，其中围绕于两相对空心柱型下电极的结构层互不接触，而围绕于两相邻空心柱型下电极的结构层则互相连接。此外，上电极分别覆盖于各个空心柱型下电极，电容介质层则位于每个上电极与每个空心柱型下电极之间。因为结构层的关系，所以能够改善整个空心柱型电容器的机械强度，并可增加电容器密度。

基本信息

专利标题：

空心柱型电容器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101005074A

申请号：

CN200610001628.9

公开（公告）日：

2007-07-25

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李亨元何青原李隆盛梁虔硕

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

薛平

优先权：

CN200610001628.9

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

H01L27/108

动态随机存取存储结构的

法律状态

2018-03-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20170118

2009-02-25 ：

授权

2007-09-19 ：

实质审查的生效

2007-07-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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