DRAM空心柱型电容器及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。
基本信息
专利标题 ：
DRAM空心柱型电容器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000893A
申请号 ：
CN200610000286.9
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李亨元梁虔硕李隆盛
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王昕
优先权 ：
CN200610000286.9
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8222 H01L27/108 H01L27/102
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2016-03-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101648904931
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006100002869
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20150110
号牌文件序号 : 101648904931
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006100002869
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20150110
2009-02-25 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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