一种晶圆用化学刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆用化学刻蚀设备，包括刻蚀槽，刻蚀槽内放置有晶圆放置架，晶圆放置架上排列有晶圆，晶圆放置架包括相对竖直设置的主支架，滑动设置在主支架底部的支撑拉板以及横向设置在主支架中部的辅助支架，辅助支架上铰接有多个用于定位晶圆侧边的槽块，刻蚀槽底部与中转槽体通过进液管道以及出液管道循环连接，进液管道横向设置且其上设有气泡检测传感器，所述出液管道上设有循环泵。刻蚀均匀性好，可以防止二次刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆用化学刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020973618.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN211980565U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
魏剑宏
申请人 ：
苏州昂科微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州相城经济技术开发区澄阳路116号阳澄湖国际科技创业园1号楼208室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020973618.7
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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