一种用于晶圆的胶刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶圆的胶刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496777A
申请号 ：
CN202210026734.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王兆丰王世宽宋永辉
申请人 ：
无锡尚积半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
代理机构 ：
苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN202210026734.1
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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