利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法
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摘要
利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法，本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气，碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法：一、清洗金刚石籽晶；二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上，将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周；三、将反应舱内抽真空，随后通入高纯氢气，并升高气压与微波功率；四、在无气流稳定生长过程中，采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控，通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度；五、结束生长。本发明在无气流生长过程中，原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团，随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面，此过程持续循环进行，实现单晶金刚石的快速生长。
基本信息
专利标题 ：
利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112877773A
申请号 ：
CN202110034019.8
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2021-01-13
授权号 ：
CN112877773B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
朱嘉琦李一村代兵郝晓斌赵继文张森
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 ：
侯静
优先权 ：
CN202110034019.8
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20210113
申请日 : 20210113
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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