难熔金属覆盖的低阻金属导体线和通路及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明一般涉及电的导体线与通路的制法。采用物理汽相淀积低电阻率金属或合金之后接着化学汽相淀积难熔金属与随后的平整化两者的结合可制出优良的导线和通路。ＣＶＤ施加难熔金属盖时，改变SiH4与WF6之比可以控制硅掺入钨的盖层的量。准直溅射可在介质开口产生难熔金属衬垫，适合于作铜基金属化以及ＣＶＤ钨的扩散阻挡层。
基本信息
专利标题 ：
难熔金属覆盖的低阻金属导体线和通路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1076548A
申请号 ：
CN93101333.X
公开（公告）日 ：
1993-09-22
申请日 ：
1993-02-24
授权号 ：
CN1044649C
授权日 ：
1999-08-11
发明人 ：
雷吉夫·Ｖ·乔西杰罗姆·Ｊ·库欧莫霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔路易斯·Ｌ·苏
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
付康
优先权 ：
CN93101333.X
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101429918456
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL93101333X
申请日 : 19930224
授权公告日 : 19990811
期满终止日期 : 20130224
号牌文件序号 : 101429918456
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL93101333X
申请日 : 19930224
授权公告日 : 19990811
期满终止日期 : 20130224
1999-08-11 ：
授权
1993-09-22 ：
公开
1993-09-15 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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