具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件
专利权的终止
摘要
一种包括一衬底、一位于所述衬底上的介质层以及位于该介质层上的一个窗口内的金属化部分的器件，其中的金属化部分从与上述介质层和衬底的界面共平面的表面延伸出来，由窗口内侧表面上的衬垫、衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其上覆盖有难熔金属或合金盖层。
基本信息
专利标题 ：
具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1192049A
申请号 ：
CN97119556.0
公开（公告）日 ：
1998-09-02
申请日 ：
1993-02-24
授权号 ：
CN1112730C
授权日 ：
2003-06-25
发明人 ：
雷吉夫·Ｖ·乔西杰罗姆·Ｊ·库欧莫霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔路易斯·Ｌ·苏
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97119556.0
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101430317836
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL971195560
申请日 : 19930224
授权公告日 : 20030625
期满终止日期 : 20130224
号牌文件序号 : 101430317836
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL971195560
申请日 : 19930224
授权公告日 : 20030625
期满终止日期 : 20130224
2003-06-25 ：
授权
1998-09-02 ：
公开
1998-08-05 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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