难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路

专利权的终止

摘要

利用难熔金属覆盖低电阻率金属导线或通路是为实际采用化学—机械抛光技术创造条件，因为难熔金属的坚硬、低磨损性能，在化学—机械抛光过程不会受擦伤、浸蚀或弄脏。采用物理汽相淀积(例如，蒸发或准直溅射)低电阻率金属或合金之后接着化学汽相淀积(CVD)难熔金属与随后的平整化两者的结合可制出优良的导线和通路。准直溅射可在介质中的开口内产生难熔金属衬垫，适合于作铜基金属化以及CVD钨的扩散阻挡层。$#!

基本信息

专利标题：

难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1120241A

申请号：

CN94115341.X

公开（公告）日：

1996-04-10

申请日：

1993-02-24

授权号：

CN1081390C

授权日：

2002-03-20

发明人：

雷吉夫·Ｖ·乔西杰罗姆·Ｊ·库欧莫霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔路易斯·Ｌ·苏

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN94115341.X

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768 H01L21/283