一种高方阻金属化薄膜

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及一种高方阻金属化薄膜，包括绝缘基膜，所述绝缘基膜的表面设置有金属镀层，所述金属镀层包括多组设置在绝缘基膜表面的第一镀铜层组，所述第一镀铜层组包括多个腰圆形第一镀铜层，相邻第一镀铜层之间设置有留空区；相邻第一镀铜层组之间设置有第二镀铜层组，所述第二镀铜层组由多个与留空区一一对应的第二镀铜层组成；所述金属镀层还包括设置在绝缘基膜表面且将第一镀铜层和第二镀铜层完全覆盖的镀铝层。本实用新型所述高方阻金属化薄膜的方阻大，制成的电容器芯中，金属镀层与喷金层之间的结合强度大，电容器的安全可靠性高。

基本信息

专利标题：

一种高方阻金属化薄膜

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921283052.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-08

授权号：

CN210245320U

授权日：

2020-04-03

发明人：

宋仁祥

申请人：

安徽省宁国市海伟电子有限公司

申请人地址：

安徽省宣城市宁国市汪溪工业园区

代理机构：

合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

凌云

优先权：

CN201921283052.9

主分类号：

H01G4/002

IPC分类号：

H01G4/002 H01G4/33