用于平面接触的金属化薄膜
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种接触至少一个位于一基板(2)和/或至少一个布置在所述基板(2)上的组件(3)的一表面上的电接触面(1)的方法，所述组件特别为半导体芯片。所述方法包括下列步骤：在真空条件下将至少一个由电绝缘塑料材料制成的绝缘膜(4)层压在所述基板(2)和所述组件的具有所述接触面(1)的表面上；通过在所述绝缘膜(4)上开一窗口(6)来露出所述表面上待接触的接触面(1)。本发明的特征在于使露出的接触面(1)与一绝缘膜(4)上的至少一个金属镀层(5)进行平面接触。
基本信息
专利标题 ：
用于平面接触的金属化薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061582A
申请号 ：
CN200580039308.6
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡尔·韦德纳
申请人 ：
西门子公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张亮
优先权 ：
CN200580039308.6
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2018-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/07
申请日 : 20051121
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20161121
申请日 : 20051121
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20161121
2009-03-25 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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