半导体对准测试结构

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种半导体对准测试结构，填充有金属的通孔与被测结构的下层铝层相互接触，通孔与被测结构的上层铝层之间存在偏移。本发明一种半导体对准测试结构，通孔和上层铝之间不相互接触，当存在超出范围的偏移时，探头之间即产生电流，从而可以更准确的进行对准测试。本发明可以用于对准监控，并且比已有技术的结构更紧凑，同时具有更高的灵敏度。

基本信息

专利标题：

半导体对准测试结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1988147A

申请号：

CN200510111836.X

公开（公告）日：

2007-06-27

申请日：

2005-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐开勤东野智彦熊淑平陈春晖

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111836.X

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/544

加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案

法律状态

2021-12-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20051222
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20201222

2014-02-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689534843
IPC(主分类) : H01L 23/544
专利号 : ZL200510111836X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108

2009-01-14 ：

授权

2007-08-22 ：

实质审查的生效

2007-06-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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