带有半导体衬底和测试结构的半导体产品及方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及带测试结构(5)的半导体产品(1)，其中接触端子(17)短接晶体管(10)的通过掺杂物质扩散区(15)与沟槽电容器(30)的内部电容器电极(31)连接的那个源极/漏极区(11)和印制导线(16)。于是可以通过电气测量确定掺杂物质扩散区(15)、即所谓的“埋带”的欧姆电阻，而不会由于晶体管沟道的欧姆电阻使测量结果失真。根据具有电容器电极(31)的多个电气连接端子的本发明扩展方案，还可以引导静态电流通过埋带和电容器电极(31)。本发明能够实现对半导体晶片的测试结构进行在存储单元区自身的存储单元上不能执行的电气电阻测量。
基本信息
专利标题 ：
带有半导体衬底和测试结构的半导体产品及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819199A
申请号 ：
CN200610059988.4
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·费尔伯S·拉亨曼V·罗斯科普夫S·苏克曼－普勒霍菲
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN200610059988.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/544 H01L21/66 G01R31/28 G01R31/26 G11C29/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416717772
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006100599884
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20120120
号牌文件序号 : 101416717772
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006100599884
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20120120
2009-02-04 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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